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北京时间8月19日，据国外媒体报道，英特尔和MICRON已经开始发布下一代25纳米NAND存储芯片，为率，该芯片使用了三层存储单元技术。 8GB和64GB芯片正在向选定的客户发售，用于SD卡存储设备。该芯片在每个存储单元中保存三位信息，而非像芯片那样保存一到两位信息，英特尔宣称，这种芯片是目前市场上有效率的。 英特尔副总裁及NAND组主管Tom RampONe声称25纳米已经是业的尺寸，在完成25纳米程度的三层存储单元之后，公司还将继续为用户和发展更的产品。公司计划利用IMFT的设计和制造业地位来为用户提供更高性价比的产品。 目前IMFT正与三星以及其他公司争夺利润日趋丰厚的NAND市场。随着存储市场的增长以及公众对于固态硬盘的增多，芯片厂商正在为市场的硬件而竞争。 Tom还说他们正在致力于使8GB的三层存储单元NAND闪存设备符合终产品设计。

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